مدارات مجتمع cmos به منظور دستیابی به سرعت بالا و تراکم فشرده سازی، کوچک شدن افزاره ها را می طلبند، لذا با کوچک شدن طول گیت اثرات کانال کوتاه بسیار مهم خواهند شد. به دلیل تغییر طول گیت خواص قطعه نیز تغییر می کند. در این پایان نامه، اثرات کانال کوتاه ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق و روش های کاهش آنها و نیز ساختارهای ارائه شده بدین منظور مورد مطالعه قرار گرفته اند؛ در نهایت با استفاده از شبیه ساز...

در این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات الکتریکی و گرمایی نانو ترانزیستورهای سیلیسیم ژرمانیم روی عایق و ارائه ی چندین ساختار نوین برای آن ها پرداخته ایم. با پیشرفت تکنولوژی، اندازه ی ترانزیستورها در مقیاس نانومترخواهند شد تا بتوان از تعداد بیشتری از آن ها در مدارات توان پایین استفاده نمود. کوچک سازی ترانزیستورها، مشکلات الکتریکی و گرمایی زیادی را از قبیل اثرات کانال کوتاه، اثرات حامل های داغ...

افزاره های ساخته شده با سیلیکن کاربید پتانسیل گسترده ای را برای چگالی توان بالا و کاربردهای کلیدزنی دمای بالا نشان می دهند. در میان چندگونه های سیلیکن کاربیدی، گونه 4h-sic با توجه به موبیلیتی ذاتی بالایی که دارد به عنوان امیدبخش ترین نوع برای پیشرفت افزاره های قدرت مطرح می باشد. در میان تمام ساختارهای افزاره های قدرت، ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلزی (ماسفت) ساخته شده با 4h-sic بواسطه داشتن ...

در این پایان نامه به مدل سازی اثرات کانال کوتاه در ماسفت های دوگیتی با گیت دو ماده ای پرداخته شده است. یک مدل دو بعدی برای پتانسیل کانال با استفاده از ترکیبی از روش های مد ناپایدار و روش تقریب چند جمله ای استخراج شده است. با استفاده از روش مد ناپایدار پتانسیل کانال به صورت مجموع پتانسیل یک بعدی برای حالت کانال بلند و تغییرات دو بعدی پتانسیل برای در نظر گرفتن کوتاه شدن کانال بیان شده است. تغییرا...

در این رساله یک ماسفت سیلیکون برعایق جدید به منظور کاهش اثرات کانال کوتاه ارائه شده است. ترانزیستور استفاده شده دارای دو گیت مجزا دارای طول های متفاوت می باشد. در این ساختار پیشنهادی بایاس گیت دوم که نزدیک درین قرار دارد به ولتاژ درین وابسته می باشد؛ به عبارتی به وسیله ولتاژ درین کنترل می شود. هدف این است که با انتخاب ولتاژ مناسب برای گیت دوم، از تاثیر ولتاژ درین بر پتانسیل کانال جلوگیری شود. د...

در این رساله یک نانوماسفت دو گیتی فوق العاده نازک با طول گیت کمتر از 9 nm و ضخامت کانال کمتر از 5 nm با استفاده از روشهای کاملا کوانتومی با الکتروستاتیک دو بعدی مورد بررسی قرار می دهیم. معادلات ترابرد بالستیکی دو بعدی با استفاده از رویکرد فضای مد به دو دسته معادلات یک بعدی تقسیم می شوند بطوریکه در راستای محبوس شدگی کوانتومی یعنی در راستای گیت معادله شرودینگر را برای بدست آوردن ویژه مقادیر زیرنو...

هدف این مقاله بررسی اثرات سیاست پولی بر تولید ناخالص داخلی و سطح عمومی قیمت‌هااز طریق کانال اعتباری (کانال وام دهی بانکی) در ایران طی دوره 2Q1387- 1Q1368 می‌باشد. بدین منظور با استفاده از الگوی تصحیح خطای برداری (VEC) اثرات سیاست پولی از طریق کانال وام دهی مورد بررسی قرار گرفت. به طور کلی نتایج حاکی از این است ...

هدف این مقاله بررسی اثرات سیاست پولی بر تولید ناخالص داخلی و سطح عمومی قیمت‌هااز طریق کانال اعتباری (کانال وام دهی بانکی) در ایران طی دوره 2Q1387- 1Q1368 می‌باشد. بدین منظور با استفاده از الگوی تصحیح خطای برداری (VEC) اثرات سیاست پولی از طریق کانال وام دهی مورد بررسی قرار گرفت. به طور کلی نتایج حاکی از این است ...

سیاست‌های پولی از طریق کانال‌های متعددی همچون کانال نرخ بهره، کانال نرخ ارز، کانال قیمت سایر دارایی‌ها و کانال اعتباری بر تولید و تورم اثرگذار می‌باشند. هدف این مقاله بررسی اثرات سیاست پولی بر تولید و تورم از طریق کانال شاخص قیمت مسکن به عنوان کانال قیمت سایر دارایی‌ها، در ایران طی دوره 2Q1387-Q11368 می‌باشد. بدین منظور با استفاده از الگوی تصحیح خطای برداری (VEC) اثرات سیاست پولی از طریق کانال ...

سیاست های پولی از طریق کانال های متعددی همچون کانال نرخ بهره، کانال نرخ ارز، کانال قیمت سایر دارایی ها و کانال اعتباری بر تولید و تورم اثرگذار می باشند. هدف این مقاله بررسی اثرات سیاست پولی بر تولید و تورم از طریق کانال شاخص قیمت مسکن به عنوان کانال قیمت سایر دارایی ها، در ایران طی دوره 2q1387-q11368 می باشد. بدین منظور با استفاده از الگوی تصحیح خطای برداری (vec) اثرات سیاست پولی از طریق کانال ...